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行業(yè)知識(shí) Industry Knowledge
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(1)機(jī)械式中頻發(fā)電機(jī)組該電源是最早用于感應(yīng)加熱的電源之一，由于受到當(dāng)時(shí)技術(shù)水平的限制，其缺點(diǎn)是存在機(jī)械損耗，電效率低，只能達(dá)到75％左右；頻率固定，適應(yīng)范圍較窄，只有8000Hz和2500I-Iz兩檔；單機(jī)的額定功率低，****只有500kW；占地面積和噪聲大；振蕩負(fù)載匹配困難。因此應(yīng)用很少，現(xiàn)主要分布在老企業(yè)和基礎(chǔ)較差的小型企業(yè)。
(2)晶閘管(SCR)中頻電源國(guó)內(nèi)自90年代中期己逐步取代中頻發(fā)電機(jī)組。其頻率
可以達(dá)到2．5—8kHz，額定功率可以達(dá)至800kW左右。近年來(lái)國(guó)內(nèi)晶閘管中頻電源發(fā)展速度較快，其過(guò)程分別是PIE或繼電器時(shí)序邏輯控制。其共有特點(diǎn)是全集成化控制線路數(shù)字化程度高于90％，啟動(dòng)成功率幾乎達(dá)到100％，除具有常規(guī)的水壓不足、快熔熔斷、過(guò)電流、過(guò)電壓等保護(hù)功能外，還具有限流、限壓等保護(hù)功能，功能較齊全的晶閘管電源還配置逆變失敗、水溫監(jiān)視、能量控制等可選功能。如果在裝備工藝上再進(jìn)一步改進(jìn)的話，可以說(shuō)國(guó)內(nèi)電源已經(jīng)接近世界先進(jìn)水平。
(3)絕緣門極晶體管(IGBT)國(guó)內(nèi)于90年代中期開(kāi)發(fā)出第一臺(tái)電效率較高(95％左右)的50kW／50kHz IGBT電流型超音頻感應(yīng)加熱電源。目前頻率能夠達(dá)到1—50kHz，****功率可作到800kW。
(4)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和靜電感應(yīng)晶體管(SIT)電源與IGBT應(yīng)用同期，國(guó)內(nèi)成功研制出20kW／300kHz MOSFET高頻電源，縮小了同國(guó)際先進(jìn)水平的差距。在引進(jìn)消化吸收國(guó)外先進(jìn)技術(shù)方面，同日本電氣興業(yè)株式會(huì)社合作生產(chǎn)出SIT高頻電源，除滿足國(guó)內(nèi)應(yīng)用外，并有部分出口。大量的IGBT及MOSFET晶體管電源已能自制并在生產(chǎn)中應(yīng)用，MOSFET電源只是功率級(jí)別有待提高。小功率手提式晶體管電源更是蓬勃發(fā)展，并有出口。雙頻電源老產(chǎn)品是高頻與超音頻組合在一臺(tái)電子管高頻設(shè)備上�，F(xiàn)在則有國(guó)產(chǎn)的晶體管式雙頻電源，將中頻0．5kHz與超音頻40kHz組合在一起，不但電效率高，而且更適合于處理不同淬硬層深度要求的工件。超高頻27．12MHzd"功率電源過(guò)去從德國(guó)進(jìn)口，現(xiàn)在國(guó)內(nèi)能夠制造。
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